Módulo de alimentación IGBT
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Material del metal de la conexión de tornillo del módulo de poder de 6MBP50RA060-01 IGBT IPM-N
Precio: negotiable
MOQ: 1 piece
El tiempo de entrega: 2-3 working days
Marca: Fuji Electric
Destacar:módulo del igbt del poder más elevado, módulo del puente del diodo
Módulo de poder de 6MBP50RA060-01 IGBT IPM-N 600V 50A
Características · La protección de la temperatura proporcionó directamente detectando el empalme temperatura del IGBTs · Pérdida de la energía baja y transferencia suave · Alto rendimiento y alta confiabilidad IGBT con la protección de recalent... Ver más
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Acopladores ópticos de alta velocidad de HCPL-0453-500E
Precio: negotiate
MOQ: negotiate
El tiempo de entrega: Negotiable
Marca: AVAGO
Destacar:Acopladores ópticos de alta velocidad de HCPL-0453-500E, Acopladores ópticos de alta velocidad de AVAGO, Componentes electrónicos de HCPL-0453-500E
Acopladores ópticos de alta velocidad de HCPL-0453-500E
Lista de otros componentes electrónicos en existencia
NÚMERO DE PARTE
MFG/BRAND
NÚMERO DE PARTE
MFG/BRAND
ICS86962CYI01
ICS
MSP430F135IRTDR
TI
HT1621B
HOTEK
TC7SG04FE
TOS
GS8322Z36AGD-200
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Conductor diferenciado de alta velocidad de FIN1031MTX
Precio: negotiate
MOQ: negotiate
El tiempo de entrega: Negotiable
Marca: FAIRCHILD
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Conductor diferenciado de alta velocidad de FIN1031MTX
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NÚMERO DE PARTE
MFG/BRAND
NÚMERO DE PARTE
MFG/BRAND
MT6582V/UA
MTK
MAX251CSD-T
MÁXIMA
N25Q256A13EF840F
MICRÓN
LM2675MX-5.0/NOPB
TI
G9... Ver más
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PODER MEDIO 62M M de los módulos de FF600R12KE4 IGBT
Precio: negotiate
MOQ: negotiate
El tiempo de entrega: Negotiable
Marca: INFINEON
Destacar:Módulos de FF600R12KE4 IGBT, Módulo de poder de FF600R12KE4 IGBT, Módulo de poder de 62M M IGBT
PODER MEDIO 62M M de los módulos de FF600R12KE4 IGBT
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NÚMERO DE PARTE
MFG/BRAND
NÚMERO DE PARTE
MFG/BRAND
LT1085CT-3.3
LTC
MIC29300-5.0WT
MICREL
RTD1073MD-GR
REALTEK
MD7IC2050NR1
FREESCALE
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Módulos IGBT 1200V 300A de FF300R12ME4 IGBT
Precio: negotiate
MOQ: negotiate
El tiempo de entrega: Negotiable
Marca: INFINEON
Destacar:Módulos de FF300R12ME4 IGBT, Módulos 1200V 300A de IGBT, módulo de poder de 1200V 300A IGBT
Módulos IGBT 1200V 300A de FF300R12ME4 IGBT
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NÚMERO DE PARTE
MFG/BRAND
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MFG/BRAND
MX25L6445EMI-10G
MXIC
ADS6245IRGZR
TI
HS00-99657IF
BI
ADS54T02IZAY
TI
HF507S-51- 02(01)
Y... Ver más
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Módulos IGBT 1200V 300A de FF300R12KT4 IGBT
Precio: negotiate
MOQ: negotiate
El tiempo de entrega: Negotiable
Marca: INFINEON
Destacar:Módulos de FF300R12KT4 IGBT, Módulos 1200V 300A de IGBT, Módulo de poder de FF300R12KT4 IGBT
Módulos IGBT 1200V 300A de FF300R12KT4 IGBT
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NÚMERO DE PARTE
MFG/BRAND
NÚMERO DE PARTE
MFG/BRAND
88E3019-A0-NAJ2C000
MARVELL
CX28380-16
MNDSPEED
SAF7741HV/125
CS9211-VNG
NSC
NJM2368E
JR... Ver más
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Módulos N-CH 1.2KV 320A de FF200R12KT4 IGBT
Precio: negotiate
MOQ: negotiate
El tiempo de entrega: Negotiable
Marca: INFINEON
Destacar:Módulos de FF200R12KT4 IGBT, Módulos N-CH de IGBT, Módulos 1.2KV 320A de IGBT
Módulos N-CH 1.2KV 320A de FF200R12KT4 IGBT
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NÚMERO DE PARTE
MFG/BRAND
NÚMERO DE PARTE
MFG/BRAND
BLF3G21-6
88F6510-A0-BKT2C080
MARVELL
XRT7300IVTR
EXAR
TPS62380YFFR
TEJAS
SN74AUC1G32DCKR
TI... Ver más
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Módulo de poder de FP15R12W1T4 IGBT, condición a estrenar del módulo 15A del puente del diodo
Precio: negotiable
MOQ: 1 piece
El tiempo de entrega: 2-3 working days
Marca: Infineon
Destacar:módulo del igbt del poder más elevado, módulo del puente del diodo, Módulo de poder de FP15R12W1T4 IGBT
Módulo 1200V 15A del inversor de corriente de FP15R12W1T4 IGBT
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NÚMERO DE PARTE
MFG/BRAND
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MFG/BRAND
DTC143ZUAT106
ROHM
LTC3375EUK#TRPBF
LINEAR
RT9011-MGGQWC
RICHTEK
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3- Organice el módulo de poder del puente IGBT 1600V SEMIKRON 68A SK70DT16
Precio: negotiable
MOQ: 1 piece
El tiempo de entrega: 2-3 working days
Marca: Semikron
Destacar:módulo de poder del mosfet, módulo del igbt del poder más elevado, 3 módulo de poder del puente IGBT de la fase
Módulo trifásico SEMIKRON 68A 1600V y SK70DT08 SK70DT12 del puente SK70DT16
Semikron, SK70DT16, SCR del módulo del tiristor, 68A 1600V, 13-Pin SEMITOP3
Detalles del producto
Serie de SK
puente rectificador controlado por fase 3 Hasta el voltaje reverso 1600V Microprocesadores a... Ver más
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Voltaje de saturación bajo del módulo de poder de la serie 320W IGBT de N 2MBI75N-060
Precio: negotiable
MOQ: 1 piece
El tiempo de entrega: 2-3 working days
Marca: Fuji Electric
Destacar:módulo de poder del mosfet, módulo del igbt del poder más elevado, Módulo de poder de IGBT 2MBI75N-060
MÓDULO 600V 75A del DIODO del PODER de 2MBI75N-060 IGBT
MÓDULO de IGBT (serie de N) características de n • Cuadrado RBSOA • Voltaje de saturación bajo • Menos disipación de poder total • Característica mejorada del FWD • Inductancia perdida interna minimizada • Función de limitación de la sobr... Ver más
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6MBP100RTA060-01 módulo 100A 347W IPM-N 600V 100A del poder más elevado IGBT
Precio: negotiable
MOQ: 1 piece
El tiempo de entrega: 2-3 working days
Marca: Fuji Electric
Destacar:módulo de poder del mosfet, módulo del puente del diodo, 6MBP100RTA060-01 módulo del poder más elevado IGBT
Módulo de poder de 6MBP100RTA060-01 IGBT IPM-N 600V 100A
Características · La protección de la temperatura proporcionó directamente detectando el empalme temperatura del IGBTs · Pérdida de la energía baja y transferencia suave · Alto rendimiento y alta confiabilidad IGBT con la protección de recal... Ver más
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Circule el transistor de poder de la parada de campo de control IGBT FGH60N60SMD 600V 60A
Precio: negotiable
MOQ: 30 pieces
El tiempo de entrega: 1-2 working days
Marca: Fairchild/ON
Destacar:módulo de poder del mosfet, módulo del puente del diodo, Transistor de poder de IGBT 600V 60A
Transistor de poder de la parada de campo de FGH60N60SMD 600V 60A IGBT
Características
• Temperatura de empalme máxima: TJ =175oC
• Coeficiente positivo de Temperaure para el funcionamiento paralelo fácil • Capacidad de gran intensidad
• Voltaje de saturación bajo: VCE (sentado) =1.9V (t... Ver más
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Alta configuración del puente del módulo de poder del rendimiento IGBT media 2270W 1mA
Precio: USD 99.0 per piece
MOQ: 1 piece
El tiempo de entrega: 1-3 working days
Marca: KOBEN
Destacar:módulo de poder del mosfet, módulo del igbt del poder más elevado, Módulo de poder de IGBT 2270W
Situación de la parte
Activo
Tipo de IGBT
-
Configuración
Medio puente
Voltaje - avería del emisor del colector (máxima)
1200V
Actual - colector (Ic) (máximo)
300A
Poder - máximo
2270W
Vce (encendido) (máximo) @ Vge, Ic
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Los chasis montan el canal N 500V SOT227B IXFN48N50 del módulo de poder del Mosfet
Precio: USD 3.99~7.99 per piece
MOQ: 10 pieces
El tiempo de entrega: 2-3 working days
Marca: IXYS
Destacar:módulo de poder del mosfet, módulo del igbt del poder más elevado, Módulo de poder del Mosfet del soporte del chasis
Situación de la parte
Activo
Tipo del FET
Canal N
Tecnología
MOSFET (óxido de metal)
Drene al voltaje de la fuente (Vdss)
500V
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C
48A (Tc)
Conduzca el voltaje (Rds máximo encendido, el mi... Ver más
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