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Oblea del nitruro del galio

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China 2-4inch HVPE GaN Wafer Customized Size Free - GaN Single Crystal Material permanente en venta

2-4inch HVPE GaN Wafer Customized Size Free - GaN Single Crystal Material permanente

Precio: by case
MOQ: 1pc
El tiempo de entrega: 2-4weeks
Marca: zmkj
Destacar:substrato gan, plantilla gan
Plantilla de sustratos de GaN de 2 pulgadas, oblea de GaN para LED, oblea de nitruro de galio semiconductor para ld, plantilla de GaN, oblea de GaN mocvd, sustratos de GaN independientes de tamaño personalizado, oblea de GaN de tamaño pequeño para LED, oblea de nitruro de galio mocvd 10x10 mm, 5x5 m... Ver más
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China 8INCH 12INCH 6INCH GaN-En-Si EPI-WAFERS para el uso del RF LED del poder en venta

8INCH 12INCH 6INCH GaN-En-Si EPI-WAFERS para el uso del RF LED del poder

Precio: by case
MOQ: 1pcs
El tiempo de entrega: 2-4weeks
Marca: ZMSH
Destacar:Oblea industrial del Si Epi del grado, GaN Si Epi Wafer, Substratos del nitruro de aluminio del RF del poder
8 pulgadas 12 pulgadas 6 pulgadas GAN-ON-SI EPI-WAFERS para la aplicación de LED RF POWER Wafer epitaxial de GaN (EPI de GaN en silicio)ZMSH es un agente de GaN-on-Si obeliscos epitaxiales en Shanghia. IntroducciónLa necesidad de ahorro energético y de avances en los sistemas de información y comu... Ver más
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China Grueso de GaN Wafer 350um del nitruro del galio de la exhibición de la proyección del laser en venta

Grueso de GaN Wafer 350um del nitruro del galio de la exhibición de la proyección del laser

Precio: by case
MOQ: 1pc
El tiempo de entrega: 2-4weeks
Marca: zmkj
Destacar:plantilla gan, plantilla del aln
substratos libres de 2inch GaN, oblea para el LD, oblea semiconductora de GaN del nitruro del galio para llevado, plantilla de GaN, substratos de 10x10m m GaN, oblea nativa de GaN, III-nitruro (GaN, AlN, mesón) Cubierta prohibida del ancho de banda (luminescente y absorción) el ultravioleta, ... Ver más
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China oblea de la plantilla de GaN AlN del nitruro del galio de 2inch 4Inch en el zafiro, substratos del Si en venta

oblea de la plantilla de GaN AlN del nitruro del galio de 2inch 4Inch en el zafiro, substratos del Si

Precio: by case
MOQ: 2pc
El tiempo de entrega: 2-4weeks
Marca: zmkj
Destacar:substrato gan, plantilla gan
oblea de la plantilla de AlN del nitruro del galio 2inch, 4inch en el zafiro o sic substratos, oblea del nitruro del galio de HVPE, plantillas de AlN III-nitruro (GaN, AlN, mesón) Cubierta prohibida del ancho de banda (luminescente y absorción) el ultravioleta, la luz visible y el infrarrojo. ... Ver más
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China 4

4" oblea del nitruro del galio

Precio: by case
MOQ: 2pc
El tiempo de entrega: 2-4weeks
Marca: zmkj
Destacar:4" oblea del nitruro del galio, Oblea del nitruro del galio de HVPE, oblea del nitruro del galio 650um
Los substratos UVC del LED EPI acodan la oblea de la plantilla de AlN del nitruro del galio 2inch, 4inch en el zafiro o sic los substratos, Oblea del nitruro del galio de HVPE, plantillas de AlN III-nitruro (GaN, AlN, mesón) El ancho de banda prohibido (luminescente y absorción) cubre la luz ... Ver más
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China Substrato de HVPE GaN u oblea de GaN Template EPI para los usos del RF en venta

Substrato de HVPE GaN u oblea de GaN Template EPI para los usos del RF

Precio: by case
MOQ: 1pcs
El tiempo de entrega: 2-4weeks
Marca: zmsh
Destacar:sola oblea gan cristalina del epi, oblea gan del epi de la plantilla, substratos gan de la plantilla
oblea de GaN del nitruro del galio del método de 2inch HVPE, substratos libres para el applicaion del LED, microprocesadores de GaN del tamaño de 10x10m m, oblea de GaN de la situación de HVPE GaN Sobre GaN Feature introduzca La demanda creciente para las capacidades de alta velocidad, das alt... Ver más
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China obleas de 4Inch 6INCH GaN-en-Si GaN-en-SIC Epi para el uso del RF en venta

obleas de 4Inch 6INCH GaN-en-Si GaN-en-SIC Epi para el uso del RF

Precio: by case
MOQ: 1pcs
El tiempo de entrega: 2-4weeks
Marca: ZMSH
Destacar:GaN Silicon Substrate, Oblea del arseniuro de galio de 4 pulgadas, Substratos del semiconductor para el uso del RF
8 pulgadas 12 pulgadas 6 pulgadas GAN-ON-SI EPI-WAFERS para la aplicación de micro-LED RF POWER 8 pulgadas 100 mm 150 mm 200 mm 300 mm GAN-ON-SI EPI-WAFERS para la aplicación de energía Wafer epitaxial de GaN (EPI de GaN en silicio)ZMSH es un agente de GaN-on-Si obeliscos epitaxiales en Shanghia. ... Ver más
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China GaN-EN-GaN las obleas micro GaN Substrates permanente libre del LED EPI 2 pulgadas en venta

GaN-EN-GaN las obleas micro GaN Substrates permanente libre del LED EPI 2 pulgadas

Precio: by case
MOQ: 1pcs
El tiempo de entrega: 2-4weeks
Marca: zmsh
Destacar:Obleas micro del LED EPI, Substrato del nitruro del galio de 2 pulgadas, Oblea del galio EPI
B2inch GaN-EN-GaN las obleas verdes azules del epi Micro-LED en los substratos libres de GaN 2inch GaN-EN-GaN las obleas del PIN en los substratos libres de GaN Alrededor GaN-en-GaN característica introduzca Los dispositivos de poder verticales de GaN tienen el potencial para revolucionar ... Ver más
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China Oblea púrpura de la oblea SSP LED de GaN Sapphire LED Epi de 2 pulgadas en venta

Oblea púrpura de la oblea SSP LED de GaN Sapphire LED Epi de 2 pulgadas

Precio: usd150.00
MOQ: 5pcs
El tiempo de entrega: 1-4week;
Marca: ZMSH
Destacar:Oblea de GaN Sapphire LED Epi, Oblea de 2 pulgadas LED Epi, Oblea del nitruro LED del galio
el azul del GaN-EN-zafiro de 2inch 4inch 6inch llevó las obleas verdes de la epi-oblea PSS del LED Como un fabricante y proveedor principales de las obleas del epi de GaN (nitruro del galio), ofrecemos 2-6inch GaN en las obleas del epi del zafiro para los usos de la electrónica de la microo... Ver más
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China 10X10m m sin impurificar M-AXIS HVPE GAN Wafers For semiconductor en venta

10X10m m sin impurificar M-AXIS HVPE GAN Wafers For semiconductor

Precio: by case
MOQ: 10pc
El tiempo de entrega: 2-4weeks
Marca: zmkj
Destacar:Obleas de HVPE GAN, Obleas del eje GAN de M, solo cristal sin impurificar de GaN
substratos libres de 2inch GaN, oblea para el LD, oblea semiconductora de GaN del nitruro del galio para llevado, plantilla de GaN, substratos de 10x10m m GaN, oblea nativa de GaN, GaN Applications GaN se puede utilizar para hacer varios tipos de dispositivos; los dispositivos primarios de ... Ver más
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China Oblea de GaN del nitruro del galio de HVPE, situación libre del microprocesador de Gan tamaño de 10 x 10 milímetros en venta

Oblea de GaN del nitruro del galio de HVPE, situación libre del microprocesador de Gan tamaño de 10 x 10 milímetros

Precio: by case
MOQ: 1pcs
El tiempo de entrega: 2-4weeks
Marca: zmsh
Destacar:plantilla gan, plantilla del aln
oblea de GaN del nitruro del galio del método de 2inch HVPE, substratos derechos libres para el LD, microprocesadores de GaN del tamaño de 10x10m m, oblea de GaN de HVPE GaN Sobre la característica de GaN introduzca La demanda creciente para las capacidades de alta velocidad, das alta t... Ver más
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China Semi - oblea aislador sin impurificar HVPE del nitruro del galio y tipo de la plantilla en venta

Semi - oblea aislador sin impurificar HVPE del nitruro del galio y tipo de la plantilla

Precio: by case
MOQ: 1pcs
El tiempo de entrega: 2-4weeks
Marca: zmsh
Destacar:substrato gan, plantilla gan
oblea de GaN del nitruro del galio del método de 2inch HVPE, substratos derechos libres para el LD, microprocesadores de GaN del tamaño de 10x10m m, oblea de GaN de HVPE GaN Sobre la característica de GaN introduzca La demanda creciente para las capacidades de alta velocidad, das alta te... Ver más
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China Tipo situación libre HVPE GaN Gallium Nitride Wafer de N de 4inch Dia100mm en venta

Tipo situación libre HVPE GaN Gallium Nitride Wafer de N de 4inch Dia100mm

Precio: by case
MOQ: 1pc
El tiempo de entrega: 2-4weeks
Marca: zmkj
Destacar:GaN Gallium Nitride Wafer, tipo oblea de n del nitruro del galio, Oblea de HVPE gaas
substratos libres de 2inch GaN, oblea para el LD, oblea semiconductora de GaN del nitruro del galio para llevado, plantilla de GaN, substratos de 10x10m m GaN, oblea nativa de GaN, GaN Applications GaN se puede utilizar para hacer varios tipos de dispositivos; los dispositivos primarios de... Ver más
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China Oblea Sapphire Template Epi Wafers del nitruro del galio de 2 pulgadas en venta

Oblea Sapphire Template Epi Wafers del nitruro del galio de 2 pulgadas

Precio: usd150.00
MOQ: 5pcs
El tiempo de entrega: 1-4week;
Marca: ZMSH
Destacar:Obleas de Epi de la plantilla, Oblea del arseniuro de galio de Epi, Nitruro Sapphire Substrates del galio
el azul del GaN-EN-zafiro de 2inch 4inch 6inch llevó las obleas verdes de la epi-oblea PSS del LED epi-obleas de la plantilla de 2inch 4inch uGaN/nGaN/pGaN-on-Sapphire Como un fabricante y proveedor principales de las obleas del epi de GaN (nitruro del galio), ofrecemos 2-6inch GaN en ... Ver más
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China Plantilla de 2INCH 4INCH NPSS/FSS AlN en la oblea del AlN-En-zafiro de la EPI-oblea del zafiro en venta

Plantilla de 2INCH 4INCH NPSS/FSS AlN en la oblea del AlN-En-zafiro de la EPI-oblea del zafiro

Precio: by case
MOQ: 5pc
El tiempo de entrega: 2-4weeks
Marca: zmkj
Destacar:plantilla gan, plantilla del aln
plantilla de 2inch AlN en el zafiro o sic los substratos, oblea del nitruro del galio de HVPE, substratos de AlN en GaN Plantilla de 2INCH AlN en la oblea del AlN-En-zafiro de la EPI-oblea del zafiro Ofrecemos los substratos monocristalinos de AlN en la plantilla del zafiro del c-avión, que ll... Ver más
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China Oblea cristalizada del nitruro del galio de HVPE GaN para el dispositivo del laser en venta

Oblea cristalizada del nitruro del galio de HVPE GaN para el dispositivo del laser

Precio: by case
MOQ: 1pc
El tiempo de entrega: 2-4weeks
Marca: zmkj
Destacar:Oblea del nitruro del galio de HVPE, Oblea del nitruro del galio de GaN, Oblea gan de HVPE
substratos libres de 2inch GaN, oblea para el LD, oblea semiconductora de GaN del nitruro del galio para llevado, plantilla de GaN, substratos de 10x10m m GaN, oblea nativa de GaN, III-nitruro (GaN, AlN, mesón) El ancho de banda prohibido (luminescente y absorción) cubre la luz y el infrarrojo ... Ver más
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China GaN-EN-silicio de la oblea del nitruro del galio de 300m m para el poder LED micro en venta

GaN-EN-silicio de la oblea del nitruro del galio de 300m m para el poder LED micro

Precio: by case
MOQ: 1pcs
El tiempo de entrega: 2-4weeks
Marca: ZMSH
Destacar:Oblea del nitruro de aluminio del Si Epi, Oblea micro del arseniuro de galio del LED, oblea del nitruro del galio de 300m m
8 pulgadas 12 pulgadas 6 pulgadas GAN-ON-SI EPI-WAFERS para para la aplicación de micro-LED RF de potencia 8 pulgadas 100 mm 150 mm 200 mm 300 mm GAN-ON-SI EPI-WAFERS para la aplicación de energía Wafer epitaxial de GaN (EPI de GaN en silicio)ZMSH es un agente de GaN-on-Si obeliscos epitaxiale... Ver más
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China los substratos del orSapphire del GaN-en-zafiro 6Inch basaron el HEMT llevado azul de la Epi-oblea en venta

los substratos del orSapphire del GaN-en-zafiro 6Inch basaron el HEMT llevado azul de la Epi-oblea

Precio: usd150.00
MOQ: 5pcs
El tiempo de entrega: 1-4week;
Marca: ZMSH
Destacar:Oblea de GaN LED Epi, Oblea del zafiro LED Epi, Oblea del arseniuro de galio de 6 pulgadas
el azul del GaN-EN-zafiro de 2inch 4inch 6inch llevó la epi-oblea PSS para el HEMT Como un fabricante y proveedor principales de las obleas del epi de GaN (nitruro del galio), ofrecemos 2-6inch GaN en las obleas del epi del zafiro para los usos de la electrónica de la microonda c... Ver más
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China Semiconductor derecho libre GaN Substrates de la oblea del nitruro del galio en venta

Semiconductor derecho libre GaN Substrates de la oblea del nitruro del galio

Precio: by case
MOQ: 1pcs
El tiempo de entrega: 2-4weeks
Marca: zmsh
Destacar:Oblea del nitruro del galio del semiconductor, PIN Semiconductor Wafer, GaN Substrates Gallium Wafer
oblea de GaN del nitruro del galio del método de 2inch HVPE, substratos libres para el applicaion del LED, microprocesadores de GaN del tamaño de 10x10m m, oblea de GaN de la situación de HVPE GaN 2inch GaN-EN-GaN las obleas del PIN en los substratos libres de GaN Alrededor GaN-en-GaN caracter... Ver más
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China Oblea del nitruro del galio de la oblea de GaN de la eficacia de poder más elevado para la iluminación económica de energía en venta

Oblea del nitruro del galio de la oblea de GaN de la eficacia de poder más elevado para la iluminación económica de energía

Precio: by case
MOQ: 1pcs
El tiempo de entrega: 2-4weeks
Marca: zmsh
Destacar:substrato gan, plantilla del aln
oblea de GaN del nitruro del galio del método de 2inch HVPE, substratos derechos libres para el applicaion del LED, microprocesadores de GaN del tamaño de 10x10m m, oblea de GaN de HVPE GaN Sobre la característica de GaN introduzca La demanda creciente para las capacidades de alta velocidad,... Ver más
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